据悉，该SiC制造厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成。该厂将采用意法半导体的SiC专利制造工艺技术，专注于为意法半导体生产SiC器件，作为意法半导体的专用晶圆代工厂以满足中国客户日益增长的需求。
此外，该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元，其中，未来5年的资本支出约为24亿美元，资金来源包括来自意法半导体和三安光电的资金投入、来自重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。
意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示：“此举将成为继ST在意大利和新加坡的持续重大投资外，进一步扩大其全球SiC制造业务的重要一步。新合资厂将助力ST实现到2030年取得50亿美元以上SiC营收这一目标。这一举措也与ST在2025-2027年实现200亿美元以上的营收目标以及我们之前向资本市场传达的相关财务模式相契合。”
值得注意的是，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。
三安光电首席执行官林科闯称，“这是三安光电朝着成为SiC专业晶圆代工厂这一目标迈出的重要一步。随着新合资厂的成立和新SiC衬底工厂的产能扩张，我们有信心三安将继续在SiC专业晶圆代工市场占据优势地位。”
